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全梭哈的龙头选手 2025-09-30 13:18:32 浙江 事件：全球第5大NAND FLASH公司闪迪大涨16.87%（本轮全球存储涨幅第一），NAND FLASH是本轮存储涨价核心，景气度NAND FLASH > DRAM。（1）服务器NAND发生巨大变化，企业级eSSD逐步向HDD渗透，企业级eSSD爆发。由于AI基建的爆发，传统作为海量数据存储基石的Nearline HDD（近线硬盘）已出现供应短缺，促使高效能、高成本的SSD逐渐成为市场焦点，特别是大容量的QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长。（2）价格涨幅全面超预期：TrendForce预计NAND Flash在2025Q3和2025Q4分别上涨3-8%和5-10%。核心观点：本轮由美光、闪迪领涨的存储涨价潮，并非传统周期的简单重复，而是AI革命驱动下的结构性供需失衡。其持续性与强度将远超上一轮由智能手机和通用服务器驱动的行情，有望开启一个由高性能、高带宽存储需求主导的“超级周期”。1、复盘对比与上一轮行情的同与不同，本质是范式转换1）相同点：涨价表象与周期旗号价格暴涨：两轮行情均出现产品价格在短 期内飙升 ，并伴随原厂减产、暂停报价等操控手段。龙头领涨：均由三星、海力士、美光等巨 头主导涨价节奏，通过调节产能影响全球供需。2）不同点：驱动逻辑与行情内核的质变需求驱动内核不同：上轮（2016-2018）：核心是智能手机换机潮与云计算数据中心普及带来的周期性、普适性需求，需求本质是“量的增长”。本轮：核心是AI应用从训练向推理与边缘侧延伸催生的结构性、爆发性需求。 其特点是不仅“量增”， 更是对存储性能（带宽、速度）的极致追 求，直接拉动HBM、高性能DDR5、PC Ie5.0/6.0 SSD等高端品类。AI服务器单机存储搭载量是传统服务器的3-5倍，价值量显著提升。供给调整逻辑不同：上轮：产能调整多为通用制程的周期性开与关，旨在清理库存、应对价格波动。本轮：巨头们战略性将产能永久性转向技术壁垒 和利润更高的HBM、DDR5等产品，主动收缩并逐步淘汰DDR4/LPDDR4等旧制程产能。这导致传统领域出现永久性供给缺口，涨价并非短期行为。行情持续性的根基不同：上轮：需求与宏观经济和消费电子周期高度绑定，行情随智能手机市场饱和而消退。本轮：需求由AI技术革命驱动， 这是十年维度的产业趋势， 可见度高、持续性强。数据中心为应对HDD短缺（交期拉长至52周以上）而加速向SSD迁移，进一步巩固了需求韧性。2、我们坚定看好本轮行情的持续性， 核心逻辑在于AI正在重构存储行业的价值体系与需求范式。需求端完成从“成本导向”到“性能优先”的根本性转变。AI推理训练对数据吞吐及延迟的刚性要求，推动下游客户采购标准从“每GB成本”转向“每IOPS性能”，愿意为HBM及高性能SSD支付显著溢价。性能取代成本成为第一考量，极大提升存储产品价值量与价格容忍度。供给端呈现高端产能高壁垒与格局固化特征。HBM等高端芯片仅三星、海力士、美光三家可大规模量产，且产能已被英伟达、AMD等头部客户长 期锁定（2025年HBM产能售罄）。“寡头垄断+产能预售”格局使高端供给持续紧张，价格易涨难跌。重点关注三条主线1）布局DDR5/HBM先进技术的龙头； 2）受益DDR4/LPDDR4涨价的利基存储厂商；3） 企业级SSD替代受益标的。相关标的：存储模组：开普云（金泰克）、德明利、江波龙、佰维存储、香农芯创；存储芯片：兆易创新、澜起科技、东芯股份、普冉股份。存储价格复盘：2025年存储市场的第一轮涨价潮始于4月初，彼时闪迪向客户发出涨价函，打响今年存储芯片涨价第一枪。2025年9月，存储市场的第二轮涨价信号枪再度打响。（1）9月闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上。（2）近日，美光科技向渠道商发出通知，宣布其存储产品价格将上涨20%-30%。从9月12日起，所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，协议客户价格全部取消，暂停报价一周。存储价格展望：年末降价格局已被打破，2025Q4季度环比增幅优于之前预期。（1）TrendForce预计2025Q3和2025Q4一般型DRAM (Conventional DRAM)价格将季度环比增长10-15%和8-13%，若加计HBM，季度环比涨幅将扩大至15-20%和13-18%，其中HBM渗透率为8%和11%。（2）TrendForce预计NAND Flash在2025Q3和2025Q4分别上涨3-8%和5-10%。NAND Flash：服务器NAND发生巨大变化，企业级eSSD逐步向HDD渗透，企业级eSSD爆发。由于AI基建的爆发，传统作为海量数据存储基石的Nearline HDD（近线硬盘）已出现供应短缺，促使高效能、高成本的SSD逐渐成为市场焦点，特别是大容量的QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长。DRAM：全面涨价。由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，2025Q4旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世代产品DDR5涨势相对温和。投资建议：存储行业超级周期全面开启，看好2026年价格趋势，建议关注：（1）存储模组：德明利、香农芯创、江波龙、佰维存储、万润科技、开普云、协创数据等；（2）利基型存储：兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份等；（3）存储封测：长电科技、深科技、通富微电等；（4）接口芯片：澜起科技、聚辰股份等；（5）存储设备材料：长川科技、精智达、中微公司、北方华创、雅克科技、鼎龙股份等。 本站仅提供存储服务，所有内容均由用户发布，如发现有害或侵权内容，请点击举报。融丰配资提示：文章来自网络，不代表本站观点。
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